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SK 海力士正准备推出“2.5D 扇出”封装，作为其下一代存储半导体技术。SK 海力士今年在高带宽内存（HBM）领域取得了成功，对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在通过开发“专业”内存产品来确保其技术领先地位。
据业内人士 11 月 26 日消息，SK 海力士正准备将 2.5D 扇出封装技术集成到其继 HBM 之后的下一代 DRAM 中。
这项新技术将两个 DRAM 芯片水平排列，然后将它们组合成一个芯片。一个特点是芯片变得更薄，因为芯片下面没有添加基板。这样可以显著减小安装在信息技术（IT）设备中的芯片厚度。SK 海力士预计最早将于明年公开披露使用这种封装制造的芯片的研究结果。
SK 海力士的尝试非常独特，因为 2.5D 扇出封装在内存行业从未尝试过。该技术主要应用于先进系统半导体制造领域。世界领先的半导体代工厂台积电于 2016 年首次将扇出式晶圆级封装（FOWLP）商业化，并将其用于生产 iPhone 的应用处理器，从而获得了苹果的信任。三星电子已从今年第四季度开始将这项技术引入 Galaxy 智能手机的高级 AP 封装中。
SK 海力士在存储半导体领域应用扇出封装的主要原因是封装成本的降低。业界认为 2.5D 扇出封装是一种技术，可以通过跳过硅通孔（TSV）工艺来降低成本，同时增加输入/输出（I/O）接口的数量。业界推测，这种封装技术将应用于图形 DRAM（GDDR）和其他需要扩展信息 I/O 的领域。
SK 海力士利用该技术抢占了内存产品小、批量多样化的 IT 趋势，其战略正变得越来越清晰。SK 海力士正在巩固与世界知名图形处理单元（GPU）公司英伟达的合作，英伟达在 HBM 市场处于领先地位，该市场作为下一代 DRAM 备受关注。此外，SK 海力士还为苹果新款 AR 设备“Vision Pro”中安装的“R1”计算单元生产并供应了专用 DRAM。SK 海力士总裁郭诺贞表示：“在人工智能时代，我们将把存储半导体创新，针对每个客户提供差异化的专业产品。”
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